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TECHNICAL ARTICLES聚(jù)焦離子束電鏡測試常(cháng)見(jiàn)加工缺陷與優化(huà)策略探討
2025-12-22 聚(jù)焦離子束電鏡測試將高(gāo)能(néng)離子束用(yòng)於材(cái)料(liào)微納加工(刻蝕、沈積、切割)與SEM成像結合，可實現截面制備、透射電鏡(TEM)薄片加工 、電路修(xiū)補與三維重構。但在(zài)加工過程(chéng)中易出現多種缺陷 ，影(yǐng)響樣品質量與分析準確性 ，必須針對性優化(huà) 。一 、常(cháng)見(jiàn)加工缺陷溝槽側壁傾斜與波紋離子束入射角與束流分布(bù)不均，或樣品表面不平整 ，會(huì)導(dǎo)致(zhì)刻蝕溝槽側壁呈斜坡或出現週期性波紋 ，影(yǐng)響截面平直度。表面損傷層與再沈積高(gāo)能(néng)離子轟擊產生晶格損傷、非晶化(huà)或雜質注入 ；刻蝕產生的碎屑可能(néng)再沈積在(zài)側壁或底部 ，遮蔽結構細節(jiē) 。熱...掌握4點(diǎn)原(yuán)則入手輕鬆(sōng)選擇ZEISS場(chǎng)發射掃(sǎo)描電鏡
2025-10-24 ZEISS場(chǎng)發射掃(sǎo)描電鏡是(shì)材(cái)料(liào)科(kē)學(xué)、納米技術 、半導(dǎo)體分析等領域觀測微納結構(如原(yuán)子排列(liè)、納米顆粒(lì)形(xíng)貌)的核心工具 。ZEISS場(chǎng)發射掃(sǎo)描電鏡以高(gāo)分辨率、高(gāo)穩定性和智能(néng)操作(zuò)著稱。但面對複雜的技術參數，選購時(shí)掌握以下4點(diǎn)原(yuán)則，可輕鬆(sōng)匹配需(xū)求(qiú)。一、分辨率：分辨率是(shì)衡量電鏡成像清晰度的關鍵參數，直接影(yǐng)響能(néng)否觀察到納米級細節(jiē)(如單個原(yuán)子的排列(liè)、納米線的截面結構) 。ZEISS場(chǎng)發射電鏡的分辨率通常(cháng)分為“點(diǎn)分辨率”(理論較小(xiǎo)可分辨兩點(diǎn)間距)和“實際成像分辨率”(實際樣品成像的清晰度)。對於常(cháng)...提升(shēng)國產環境箱測量精度的幾大(dà)操作(zuò)秘籍
2025-09-22 國產環境箱是(shì)材(cái)料(liào)性能(néng)測試 、產品可靠性驗證(zhèng)的核心設備，其測量精度(如溫度偏差≤±0.5℃、濕度偏差≤±2%RH)直接影(yǐng)響測試數據的可靠性。對於專(zhuān)業用(yòng)戶(hù)而言 ，掌握幾大(dà)操作(zuò)秘籍 ，能(néng)有效(xiào)提升(shēng)環境箱的測量精度，讓設備發揮更(gèng)大(dà)價值。一、校准先行(xíng)：環境箱的傳感器(溫度 、濕度 、壓力等)會(huì)隨時(shí)間漂移或受環境影(yǐng)響產生誤差。專(zhuān)家建議每3-6個月使用(yòng)標準計量設備(如鉑電阻(zǔ)溫度計 、精密露點(diǎn)儀)對箱內參數進行(xíng)校准 ，校准點(diǎn)需(xū)覆蓋常(cháng)用(yòng)測試範圍(如溫度-40℃至85℃、濕度30%R...LONGPEAK靜電放電發生器操作(zuò)常(cháng)見(jiàn)誤區及避免方法
2025-08-25 LONGPEAK靜電放電發生器是(shì)模擬靜電放電場(chǎng)景、考核電子電氣產品抗靜電性能(néng)的關鍵設備 ，廣泛用(yòng)於家電、汽車電子、通信設備等領域的EMC測試 。操作(zuò)中若存在(zài)誤區，易導(dǎo)致(zhì)測試數據失真 、設備損壞 ，甚至引發安全隱患(huàn)。以下梳理4類常(cháng)見(jiàn)誤區及對應避免方法 。一 、誤區一：忽視放電槍校准，直接開展測試部分用(yòng)戶(hù)認為“新設備無需(xū)校准” ，或長期不校准放電槍，直接用(yòng)其進行(xíng)測試 。LONGPEAK靜電放電發生器的放電槍電極易因磨損 、污染導(dǎo)致(zhì)放電電流偏差，若不校准，可能(néng)將合格產品誤判為不合格，或遺漏真實抗...掃(sǎo)描電鏡測試數據的定量分析及其在(zài)科(kē)研中的意義
2025-07-28 掃(sǎo)描電鏡測試數據蘊含著豐富的微觀結構信息，對其進行(xíng)定量分析在(zài)科(kē)研領域有著至關重要的意義。在(zài)定量分析方面 ，首先是(shì)對圖像中特徵尺寸(cùn)的測量 。通過專(zhuān)業的圖像分析軟件 ，可以精准地量取材(cái)料(liào)微觀結構的粒(lì)徑大(dà)小(xiǎo) 、孔隙直徑等關鍵尺寸(cùn)參數。例如在(zài)納米材(cái)料(liào)研究(jiū)中 ，準確知曉納米顆粒(lì)的直徑分布(bù)範圍 ，能(néng)為評估其性能(néng)及進一步改進制備工藝(yì)提供依據 。同(tóng)時(shí) ，對於晶界、相界等界面的距離測量也很重要，有助於瞭解材(cái)料(liào)的結晶特性以及不同(tóng)相之(zhī)間的相互(hù)作(zuò)用(yòng)情況 。另外，對元(yuán)素成分的定量分析也是(shì)重要一環 。結合能(néng)譜儀等附件所獲取...半導(dǎo)體閂鎖測試儀基本操作(zuò) ,新手不得(dé)不看
2025-06-19 在(zài)半導(dǎo)體器件製造與質量檢測過程(chéng)中，閂鎖效(xiào)應(Latch-up)測試是(shì)一項(xiàng)至關重要的可靠性評估項(xiàng)目 。由(yóu)於CMOS等工藝(yì)結構的固有特性，芯片在(zài)受到特定電壓 、電流或輻射干擾時(shí)可能(néng)引發寄生雙極晶體管導(dǎo)通，導(dǎo)致(zhì)器件損壞。為預防此類風險，半導(dǎo)體閂鎖測試儀被廣泛用(yòng)於評估集成電路對閂鎖效(xiào)應的抗擾能(néng)力 。掌握其基本操作(zuò)流程(chéng)，是(shì)確保測試結果準確 、設備穩定運(yùn)行(xíng)的前提 。一 、測試前準備1.確認測試樣品狀態檢查待測芯片是(shì)否完好無損 ，引腳無彎曲 、氧(yǎng)化(huà)或短路現象。同(tóng)時(shí)查閱芯片規格書 ，明(míng)確其供電電壓範圍 、較大(dà)工...公司郵箱 ： jfyp@tu-zhe.cn
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