SEM掃描電鏡檢測因其高分辨率、大景深和直觀的微(wēi)觀形貌呈現能力
，成為(wéi)材料 、生(shēng)物、地(dì)質等領域(yù)關鍵的分析(xī)工(gōng)具(jù)
。但對(duì)於初學(xué)者而言 ，從送(sòng)樣到獲取可靠圖像
，每一步都需嚴謹對(duì)待。本文簡要梳理(lǐ)SEM檢測全流程關鍵要點
。
第一步
：樣品制備——成敗在此一舉
。
導電性良好的金屬樣品可直接觀察
；但非導電樣品(如陶瓷
、塑(sù)料
、生(shēng)物組(zǔ)織)必須進行表(biǎo)面導電處理(lǐ)，常用方(fāng)法包括噴金(Au/Pd)、噴碳或使用低真(zhēn)空(kōng)模(mó)式。若忽略此步
，將出現嚴重“荷電效(xiào)應(yīng)”——圖像漂移、條紋或亮度異常。此外，樣品需牢固固定(dìng)於樣品台
，避免振動；含水或油性樣品須經(jīng)乾燥(臨界點乾燥更佳)或冷凍處理(lǐ)
。
第二步
：參數設(shè)置(zhì)——平衡分辨率與損傷。
加速電壓通常設(shè)為(wéi)5–15 kV：高電壓提升分辨率但可能損傷敏感材料
；低電壓減少損傷但信噪比下(xià)降。工(gōng)作距離(WD)建議8–10 mm，過近易撞針
，過遠(yuǎn)降低清(qīng)晰度。束流大小影(yǐng)響(xiǎng)信號強度，精(jīng)細結構宜用小束流以(yǐ)減少熱效(xiào)應(yīng)。
第三步
：成像模(mó)式選擇
。
二次電子(SE)像
：突(tū)出表(biǎo)面形貌
，適用於斷口、顆粒
、織構觀察；
背散射(shè)電子(BSE)像
：反(fǎn)映原子序(xù)數差異，適合成分分布初判(亮區=重元(yuán)素)
。
第四步
：圖像解讀注意事項
。
避免將灰塵、鍍層顆粒誤認(rèn)為(wéi)樣品特徵；注意比例尺(chǐ)單(dān)位(μm vs nm)；結合EDS能譜確認(rèn)異常亮點是否為(wéi)雜質。高質量SEM圖像應(yīng)無漂移
、無充電、細節清(qīng)晰、對(duì)比度適中
。
SEM掃描電鏡檢測是“看”的工(gōng)具(jù)，但不是“萬能解”。複雜問題需結合XRD、FTIR或TEM等手段綜(zōng)合分析(xī)。掌握基礎(chǔ)規範
，方(fāng)能從“拍出圖”進階到“讀懂圖”
，真(zhēn)正釋放SEM的科研價值
。
更新時(shí)間：2025-11-25
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